2H二硫化鉬MoS2
MoS2(2h相)是一種間接帶隙為1.2eV的半導體。 單層MoS2的帶隙為1.8eV~。 例如,二硫化鉬被用作光電探測器和晶體管。 這些層通過vanderWaals相互作用堆積在一起,可以剝離成薄的2d層。 MoS2屬于VI族過渡金屬雙鹵代烷(TMDC)。
晶體尺寸: ~10mm
電學性能: 半導體
晶體結構: 六邊形(Hexagonal)
單位單元參數: a = b = 0.374 nm, c = 1.592 nm, α = β = 90°, γ =120°
純度:>99.995 %
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價格:10000元/盒
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