六方氮化硼(H-BN,BN2A1)
六方氮化硼是一種直接禁帶寬度為5.9eV的半導體材料,被廣泛用于制備各種類型的二維半導體(如WSe2、MoSe2等)組成的超高遷移率2D異質結構。這些層是通過范德華爾斯相互作用疊加在一起的,可以剝離成二維薄層,直到單層H-BN。欲購買六角氮化硼晶體,請點擊此處。
晶體尺寸: ~1mm
電學性能: 絕緣體/半導體
晶體結構:六角形
單位單元參數: a = b = 0.2502 nm, c = 0.6617 nm, α = β = 90°, γ = 120°
純度: Grade A
價格:10000元/盒
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