硫化銻因其作為鈉離子電池(SIBs)陽極的卓越理論性能而備受關(guān)注。但其結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性差，反應(yīng)動力學(xué)緩慢。構(gòu)建共價化學(xué)鏈將硫化銻固定在二維導(dǎo)電材料上是克服這一挑戰(zhàn)的有效策略。通過Ti-O-Sb和S-Ti的共價鍵合，將單分散的Sb
2S
3均勻固定在Ti
3C
2T
x MXene表面，制備了Ti
3C
2-Sb
2S
3復(fù)合材料。Ti
3C
2T
x MXene既可作為電荷存儲貢獻者，又可作為柔性導(dǎo)電緩沖，以保持電極的結(jié)構(gòu)完整性。系統(tǒng)分析表明，高效界面化學(xué)連接的構(gòu)建可以橋接Sb
2S
3納米粒子與Ti
3C
2T
x MXene之間的物理間隙，從而提高界面電荷轉(zhuǎn)移效率。此外，界面共價鍵還可以有效地限制Sb
2S
3納米顆粒及其相應(yīng)的還原產(chǎn)物在Ti
3C
2T
x MXene表面的形成。得益于其獨特的結(jié)構(gòu)，Ti
3C
2-Sb
2S
3陽極在0.2 a g
-1循環(huán)300次后，可提供475 mAh g
-1的高可逆容量，甚至在1.0 a g
-1循環(huán)500次后仍保持410 mAh g
-1。這一策略有望為SIBs的界面化學(xué)連接的合理設(shè)計提供更多的線索。
圖1 Ti
3C
2-Sb
2S
3復(fù)合材料制備示意圖
圖2。低聚Ti
3C
2T
x MXene的SEM (a,b)和TEM (c)圖像。Ti
3C
2-Sb
2S
3復(fù)合材料的SEM (d,e)和TEM (f,g)圖像。h) Ti
3C
2-Sb
2S
3復(fù)合材料的HRTEM圖像和i)含有重疊、Ti、C、Sb和S (i1 i5)元素映射圖像的HADDF圖像。
圖3 (a) Ti
3C
2T
x MXene、Sb
2S
3粒子和Ti
3C
2-Sb
2S
3復(fù)合材料的XRD譜圖和(b)拉曼光譜。(c,d)不同區(qū)域的拉曼光譜比較。(e)不同樣品的TG曲線和f) FT-IR譜圖。
圖4。(a) Sb 3d, (b) S2p, (c,d) c 1s, (e,f) Ti
3C
2-Sb
2S
3復(fù)合材料和Ti
3C
2T
x MXene的高分辨率XPS譜圖
圖5。Ti
3C
2-Sb
2S
3復(fù)合材料在SIBs中的電化學(xué)性能(a) CV測量在0.1 mV s
-1在0.01-2.5V。(b) 0.1 A g
-1恒電流充放電曲線(c) 0.2 A g
-1的短期循環(huán)性能和庫侖效率。(d)速率循環(huán)性能和(e)不同電流密度恒流充放電曲線。(f) 長期循環(huán)性能和1.0 A g
-1的庫侖效率。
圖6。(a)低聚Ti
3C
2T
x MXene, (b) Sb
2S
3粒子，(c) Ti
3C
2-Sb
2S
3復(fù)合材料在不同掃描速率下的CV曲線。(d)峰值電流與掃描速率平方根的關(guān)系。(e)計算擴散系數(shù)。(f)對數(shù)陰極峰值電流與對數(shù)掃描速率的關(guān)系。(g) Ti
3C
2-Sb
2S
3復(fù)合材料的電容和擴散貢獻。(h)不同掃描速率下電容容量的歸一化貢獻率。
圖7 (a)循環(huán)前和b)循環(huán)200次后，電流密度為0.2 a g
-1。c) R
s和d) R
ct的EIS擬合值。
相關(guān)科研成果由中南大學(xué)Xinghua Chang和青島大學(xué)Xingyun Li等人于2021年發(fā)表在Small (DOI: 10.1002/smll.202104293)上。原文：Interfacial Covalent Bonding Endowing Ti
3C
2-Sb
2S
3 Composites High Sodium Storage Performance。
轉(zhuǎn)自《石墨烯研究》公眾號
.jpg)
