由于缺乏電子帶隙，常規石墨烯層無法實現邏輯電子學中定義斷開狀態的能力。多年來，這種特性一直是將石墨烯納入下一代場效應晶體管所缺失的要素。在這項工作中，我們在6H-SiC臺面結構的側壁上生長了高質量的扶手椅石墨烯納米帶。角度分辨光電子能譜(ARPES)和掃描隧道能譜測量揭示了由量子限制效應驅動的與寬度相關的半導體間隙的發展。此外，ARPES展示了在基于石墨烯環境中實現的理想一維電子行為，該行為由良好分辨的子帶組成，分別沿著和穿過碳帶分散和不分散。我們的實驗發現，加上理論緊密結合的計算，為更深入地探索量子限制現象奠定了基礎，并可能為新型低功率電子器件開辟有趣的途徑。
Fig. 1 在6H-SiC側壁上外延生長的AGNRs結構特性。
Fig. 2 1D受限的AGNR電子結構。
Fig. 3 費米表面。
Fig. 4 電子結構垂直于碳帶方向。
相關研究成果于2020年由德國馬克斯普朗克研究所Hrag Karakachian第一作者，發表在Nature Communications (https://doi.org/10.1038/s41467-020-19051-x)上。原文：One-dimensional confinement and width-dependent bandgap formation in epitaxial graphene nanoribbons。
轉自《石墨烯雜志》公眾號
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